6月7日,意法半导体宣布,将同三安光电在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅(SiC)器件合资制造厂。晶圆厂投产后,意法半导体服务中国客户的能力将会得到进一步提升,能够更好地推动中国新能源汽车、光伏和相关产业的发展。
新厂计划于2025年第四季度开始生产,预计将于2028年全面落成。同时,三安光电将利用自有SiC衬底工艺,单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂,以满足该合资厂的衬底需求。该合资厂将采用ST的SiC专利制造工艺技术,专注于为ST生产SiC器件,作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。
该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元,未来5年的资本支出约24亿美元,资金来源包括来自意法半导体和三安光电的资金投入、来自重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。
目前来看,碳化硅功率器件全球主要的市场份额主要掌握在以意法半导体、英飞凌、科锐、罗姆半导体等为代表的企业手中,前五名的公司所占份额达91%。国产企业中三安光电、华润微、基本半导体、中国电科等在内的本土厂商,正在发力SiC功率半导体。