士兰微公告,近期,厦门士兰明镓化合物半导体有限公司SiC功率器件生产线已实现初步通线,首个SiC器件芯片已投片成功,首批投片产品各项参数指标达到设计要求,项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试,目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。
公告显示,公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上,参数指标较好,继续完成评测,即将向客户送样。
士兰微公告,近期,厦门士兰明镓化合物半导体有限公司SiC功率器件生产线已实现初步通线,首个SiC器件芯片已投片成功,首批投片产品各项参数指标达到设计要求,项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试,目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。
公告显示,公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上,参数指标较好,继续完成评测,即将向客户送样。
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