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7月初，美国政府与荷兰ASML商谈，希望后者禁止向中国出售深紫外 (DUV) 光刻机（可用于制造7nm制程芯片），美国还向日本施压，要求其停止向中国销售光刻设备；
7月底，美国进一步限制中国获得半导体设备，从之前对制造10nm制程芯片的设备限制扩大至14nm的；
8月初，路透社报道，美国考虑通过禁止出口制造超过128层NAND Flash、18nm及更先进制程DRAM的设备来遏制中国存储芯片龙头企业发展；
8月中旬，美国宣布，该国公司不得向中国大陆提供用于设计、制造3nm或更先进制程芯片的EDA工具；
8月底，英伟达向美国证券交易委员会提交的文件显示，美国即将发布一项禁止向中国出口高性能GPU芯片的禁令。
无论是制造18nm制程DRAM、128层NAND Flash存储芯片，还是用于制造14nm制程的逻辑芯片，相关高端半导体设备，特别是来自于美国厂商的，已经很难获得，而且，今后几年，来自于日本、韩国和欧洲的类似设备，大概率也越来越难以购买，要想制造高端芯片，就必须依靠本土设备了。
