斯达半导体：车规级IGBT与SiC MOSFET模块产品加速上车

       在斯达半导体半年度业绩说明会上，董事长总经理沈华表示，目前公司正在积极扩产，以满足在新能源汽车、新能源发电、储能等行业不断增长的市场需求。

新一代IGBT芯片大批量应用

      2022年上半年，斯达半导体实现营业收入11.54亿元，同比增长六成，归属于上市公司股东的净利润3.47亿元，同比增长1.25倍。公司在手订单增长速度，报告期内合同负债项目同比上期增长近四倍；公司也加大了研发投入，上半年研发费用同比增长超过七成。

      从业务板块来看，斯达半导在新能源行业强劲增长，营业收入同比增长近两倍至5.47亿元，规模逼近工业控制和电源行业营收规模，公司变频白色家电及其他行业的营业收入为4070.2万元，较上年同期增长近两成。

     沈华介绍，目前斯达半导基于第六代Trench Field Stop技术的全系列自主IGBT芯片已经广泛应用于公司下游各行业，电压等级覆盖600V/650V/950V/1200V/1700V等，芯片自主比率接近100%。同时，公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的新一代IGBT芯片已经在下游各行业开始大批量应用。

     今年上半年，斯达半导生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过50万辆新能源汽车，预计下半年配套数量将进一步增加，其中A级及以上车型超过20万辆。同时公司在用于车用空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。

进一来看，公司基于第六代Trench Field Stop技术车规级IGBT模块新增多个双电控混动以及纯电动车型的主电机控制器平台定点，有望对2024年-2030年公司新能源汽车IGBT模块销售增长提供持续推动力；另外，基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的新一代车规级650V/750VIGBT芯片通过客户验证，下半年开始批量供货。

SiC MOSFET模块大批量装车

      与IGBT方案比，SiC MOSFET 方案可以有效的提升新能源汽车持续续航能力、空间利用等关键性指标，同时还可以减小电机控制器的体积，以特斯拉为代表的部分中高端车型已经开始使用SiC MOSFET方案。

      据披露，斯达半导应用于乘用车主控制器的车规级SiC MOSFET模块开始大批量装车，同时公司新增多个使用车规级SiC MOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点，预计将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiC MOSFET模块销售增长提供持续推动力。

      在光伏储能，斯达半导自主芯片的650V/1200V单管IGBT和模块可提供从单管到模块全部解决方案，已成为户用和工商业并网逆变器和储能变流器的主要供应商，同时，公司应用于光伏行业的1200VIGBT模块在1500V系统地面电光伏电站和储能系统中开始批量应用。